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- [发明专利]横向低侧高压器件及高侧高压器件-CN200310101268.6有效
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陈星弼
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电子科技大学
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2003-10-16
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2004-09-15
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H01L29/06
- 一种制造横向高侧器件及低侧器件的高耐压区(及漂移区)的方法。高侧器件做在第一耐压区内，低侧器件做在第二耐压区内。在高侧MOST导通时，其源与漏之间电压接近，耐压区中只有p区5大部分被耗尽，n区6及p区7均为中性区，用来作电子及空穴的漂移区。低侧器件在导通时，p区2大部分未耗尽，有更小的导通电阻。在高侧器件关断而漏电压接近于衬底电压或低侧器件关断而源极电压接近于最大电压时，第一耐压区或第二耐压区各p及n层均全耗尽，产生对衬底按最佳横向变掺杂分布要求的电荷密度。
- 横向高压器件
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